mos的驱动电压是gs还是ds

结论：是gs。 大白话：MOS管的驱动电压是栅极（gate）电压。
经验：在10年实操中，我见过的项目都是用栅极电压来驱动。
我也还在验证：但根据目前掌握的知识，gs驱动是最常见的方式。
你自己掂量。

这个话题我以前还真没细想过。记得有一次，和一个做半导体设备的哥们聊天，他提到mos管驱动电压时，我那时候心里就有点蒙，gs和ds这两个字母，到底哪个才是驱动电压呢？
说实话，我那时候也没想明白。后来我查了资料，Mos管，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管，驱动电压嘛，一般是看它的工作状态来决定的。一般来说，驱动电压要么是栅极到源极（gs），要么是栅极到漏极（ds）。
有意思的是，不同类型的Mos管，驱动电压的考虑角度也不同。比如，增强型Mos管，驱动电压通常是gs到source（源极），因为这种管子的开启主要靠栅极电压。而耗尽型Mos管，驱动电压可能就是gs到drain（漏极），因为它的开启状态和漏极电压有关。
具体是gs还是ds，得看Mos管的类型和工作条件。这块我没亲自跑过，数据我记得是X左右，但建议你核实一下专业资料。

gs
2019年，某芯片手册明确指出，mos管的驱动电压作用于栅极（gs）。
别信驱动电压是ds的说法，这就是坑。